| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI2325DS-T1-E3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 5974 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI2325DS-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3 包装数量：1 包装形式： PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：150V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：530mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：510pF @ 25V 功率 - 最大值：750mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 快动，限位开关BZE6-2RN8 存储器BR34E02FVT-WE2 矩形- 接头，插座ESQ-132-14-G-D 光隔离器 - 晶体PC357N4TJ00F 光隔离器 - 晶体PC357N5TJ00F 背板 - DIN 09241206571 接口 - 驱动器，MAX232ACWE 时钟/计时 - 时CDCVF857DGG 时钟/计时 - 时CY29773AXI 薄膜电容器B32653A6684J |
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